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将趋肤效应等效电路模型嵌入电路仿真器的方法

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摘要

本发明提供了一种将趋肤效应等效电路模型嵌入电路仿真器的方法，包括：建立电路中导体的趋肤效应等效电路模型以及模型计算公式；在电路仿真器中计算导体的直流电阻以及导体的低频电感；根据电路的实际应用确定最大频率；在电路仿真器中计算电阻系数α

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-25

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20150826 申请日:20150607

发明专利申请公布后的驳回
2015-09-23

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20150607

实质审查的生效
2015-08-26

公开

公开

1. 将趋肤效应等效电路模型嵌入电路仿真器的方法 [P] . 中国专利： CN104866685A . 2015-08-26
2. 一种基于等效电路模型的集成电路IBIS模型提取方法及系统 [P] . 中国专利： CN111737943A . 2020-10-02
3. EQUIVALENT CIRCUIT MODEL FOR LAMINATED CHIP CAPACITOR, CIRCUIT CONSTANT ANALYSIS METHOD, PROGRAM, AND DEVICE THEREFOR, AND CIRCUIT SIMULATOR [P] . 日本专利： JP2012003409A . 2012-01-05

机译：叠层芯片电容器的等效电路模型，电路常数分析方法，程序和器件参考以及电路仿真器
4. EQUIVALENT CIRCUIT MODEL FOR MULTILAYER CHIP CAPACITOR, CIRCUIT CONSTANT ANALYSIS METHOD, PROGRAM, DEVICE, AND CIRCUIT SIMULATOR [P] . 美国专利： US2011307235A1 . 2011-12-15

机译：多层芯片电容器的等效电路模型，电路常数分析方法，程序，装置和电路仿真器
5. METHOD OF GENERATING EQUIVALENT CIRCUIT MODEL OF HETERO-JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND CIRCUIT SIMULATOR [P] . 日本专利： JP2011114213A . 2011-06-09

机译：场效应晶体管和电路仿真器的等效电路模型生成方法