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公开/公告号CN104798136A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-07-22
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201380059868.2
发明设计人 J·P·金;T·金;S·金;
申请日2013-11-19
分类号G11C16/20(20060101);G11C7/20(20060101);G11C29/00(20060101);G11C29/44(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人袁逸
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-18 10:02:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-02
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/20 申请日:20131119
实质审查的生效
2015-07-22
公开
机译: 具有保留扇区的存储单元阵列,用于存储配置信息
机译: 存储单元闪存单元,布置,具有删除存储器扇区和读取存储器扇区的存储器单元被提供,其中扇区的存储器单元彼此不同
机译: 具有备用扇区的存储单元阵列,用于存储配置信息
机译:在SOI(FBC)上使用单晶体管增益单元的存储器具有适合嵌入式DRAM的性能-单元特性和存储器性能的测量结果
机译:针对包括具有分段位线架构的存储器阵列的集成电路的专利发布以及控制和/或操作该存储器阵列的方法
机译:在28nm FD-SOI中控制标准单元存储器阵列的标准单元存储器阵列的放置
机译:浮栅注入剂量的表征及其对PMOS电可擦单元(PEEC)存储器阵列的影响。
机译:具有225个可单独访问的存储单元的多路复用量子存储器的实验实现
机译:具有嵌入式存储器阵列的FpGa中的存储器到存储器连接结构
机译:用于超级计算机大容量存储器的磁阻HCTs存储器单元