首页> 中国专利> 覆晶薄膜型半导体封装及其制造方法

覆晶薄膜型半导体封装及其制造方法

摘要

本发明提供了一种覆晶薄膜(COF)型半导体封装,作为用在显示设备中的驱动器集成电路(IC)的半导体封装,其包括柔性薄膜、在柔性薄膜上形成的电极图案、电连接至电极图案的导电块、通过导电块电连接至电极图案并安装在电极图案上的半导体器件、以及在电极图案的至少一部分上形成用于密封导电块和半导体器件的第一保护层,其中所述第一保护层包括用于消散半导体器件产生的热量的导热材料。

著录项

  • 公开/公告号CN104823276A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-08-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东部HITEK株式会社;金成振;

    申请/专利号CN201480002926.2

  • 发明设计人 金成振;金俊一;金学模;

    申请日2014-02-14

  • 分类号H01L23/34(20060101);

  • 代理机构上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人胡艳

  • 地址 韩国首尔江南区德黑兰432

  • 入库时间 2023-12-18 10:02:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-02

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/34 申请公布日:20150805 申请日:20140214

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-09-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/34 申请日:20140214

    实质审查的生效

  • 2015-08-05

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号