在金属层上进行无电金属沉积的方法及应用

摘要

本发明公开了一种在制造集成电路晶片中在金属层上进行无电金属沉积的方法及应用。该方法包括用活化溶液活化金属层，该溶液除去金属层氧化物和／或刻蚀金属表面；用含敏化金属的非氨型氮配合物的碱性组合物与活化晶片接触，以敏化金属层；和用无电金属沉积催化过的晶片。所述金属选自Ti、W、Ti／W合金和/或铝及铝合金。本发明金属化处理期间屏障层的厚度不会受影响；在浸入配合物溶液后，金属化的晶片不需进一步处理，不会由于在器件不需要的区域发生沉积而造成有缺陷的晶片；本发明的工艺简单，条件可控性高，能制备出高质量的晶片，适合大规模工业应用。