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基于亚波长狭缝结构表面等离子体定向激发器

摘要

本发明提供一种基于亚波长狭缝侧入射和底端入射来实现表面等离子体激元单向激发的模型,主要提供了一种通过改变狭缝的宽度和狭缝与狭缝之间的距离来控制表面等离子体基元的激发方向和分光比大小的方法。该基于亚波长狭缝侧入射和底端入射来实现表面等离子体激元单向激发的模型包括设置在介质层两侧的金属层,介质层下方的金属层内设置两个矩形狭缝,两个矩形狭缝的宽度与介质层的厚度都不相同。该结构具有极强的光束缚效应,能突破衍射极限的限制,在纳米尺度对光进行传输。该单向激发模型最小的SPPs分光比大于6,这证明了该结构设置有良好的SPPs不定向激发。与使用基于侧照射两个狭缝的情况相比,可以通过使用两个双狭缝来增强干涉的强度和分裂效应,最好分光比约为30。这些设计将在微纳米集成光学和光通信上有着广泛使用。

著录项

  • 公开/公告号CN104714274A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-06-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江南大学;

    申请/专利号CN201510058151.7

  • 发明设计人 梁修业;王继成;刘冬冬;吴涛;

    申请日2015-02-04

  • 分类号G02B6/122(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号

  • 入库时间 2023-12-18 09:23:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/122 申请日:20150204

    实质审查的生效

  • 2015-06-17

    公开

    公开

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