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一种AlN陶瓷基热隔离结构四单元阵列气体传感器及其制作方法

摘要

一种AlN陶瓷基热隔离结构四单元阵列气体传感器及其制作方法,涉及一种气体传感器及其制造方法。解决了目前的硅基微热板集成阵列气体传感器在热稳定性差及硅基微热板集成阵列气体传感的成膜工艺复杂、高温下硅基存在热失配的问题。本发明包括矩形氮化铝陶瓷基片和四个独立传感器单元,每个独立传感器单元包括两个加热电极、两个信号电极、四个等腰梯形热隔离孔、矩形加热器和信号探测器;制作该四单元阵列气体传感器的方法为先将氮化铝陶瓷基片用丙酮溶液和酒精溶液进行清洗,烘干后在进行涂胶,光刻,再进行镀膜,放入丙酮溶液中溶解光刻胶,激光刻蚀,再放入稀盐酸溶液中清洗,最后进行退火处理,获得传感器。本发明适用于测量气体成分。

著录项

  • 公开/公告号CN104698039A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-06-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨理工大学;

    申请/专利号CN201510137044.3

  • 申请日2015-03-26

  • 分类号

  • 代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人杨晓辉

  • 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

  • 入库时间 2023-12-18 09:13:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N27/00 申请公布日:20150610 申请日:20150326

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-07-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/00 申请日:20150326

    实质审查的生效

  • 2015-06-10

    公开

    公开

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