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使用高电场制造纳米孔

摘要

提供一种用于在膜中制造纳米孔的方法。该方法包括:施加穿过膜的电势,其中所述电势的值被选择以感生引起穿过所述膜的泄漏电流的电场;在所述电势被施加时,监测穿过所述膜的电流流动;检测穿过所述膜的所述泄漏电流中的突然增加;以及响应于检测到所述泄漏电流中的突然增加来移除穿过所述膜的电势。

著录项

  • 公开/公告号CN104662209A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 渥太华大学;

    申请/专利号CN201380036177.0

  • 申请日2013-05-07

  • 分类号C25F3/14(20060101);B23B41/14(20060101);B23H9/14(20060101);B23K9/013(20060101);B82Y30/00(20060101);C25F7/00(20060101);

  • 代理机构11285 北京北翔知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨勇;郑建晖

  • 地址 加拿大安大略省渥太华

  • 入库时间 2023-12-18 09:04:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-15

    授权

    授权

  • 2015-06-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25F3/14 申请日:20130507

    实质审查的生效

  • 2015-05-27

    公开

    公开

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