单片集成式多波长半导体锁模激光器

摘要

本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列，相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱和吸收体(SA)。其中，SOA有源阵列分别为各个波长通道提供增益，通过控制注入SOA的电流控制激射波长的输出功率；AWG主要起到选模及复用不同波长的功能；SA实现被动锁模或者混合锁模。

说明书

技术领域

本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种可实现稳定的多波长锁 模脉冲输出的半导体锁模激光器。其可广泛应用于波分-时分复用系统、光 接入网、光信息处理等。

背景技术

高重频多波长短脉冲光源是未来超大容量光通讯网络中的一项关键 技术。无论在当前基于波分复用(WDM)技术的核心网中，还是在下一 代基于光时分-波分复用(OTDM-WDM)混合构架的核心网及光无源接入 网(OTDM-WDM PON)中，这一技术都有着广泛而重要的应用。在传统 的WDM系统中，为实现大容量信息传输，需要将多个波长的信息同时送 入光纤，每个通道都需要配备一个独立的高性能半导体激光器(如半导体 分布反馈型激光器)，而且系统中需要使用价格昂贵的可调谐激光器作为 备份光源。整个系统结构复杂、成本高昂。这一问题的有效解决方案之一 是用多波长光源取代系统中数以百计的单波长激光器或用于备份的可调 谐激光器，从而极大地简化网络结构、降低系统成本。在面向未来网络技 术的各种OTDM-WDM混合构架中，多波长锁模激光器可以作为一种重要 的归零码(RZ)多通道光源，为其提供有效的器件技术解决方案。与此同 时，多波长短脉冲源在光纤传感、时间分辨光谱、高速光学取样、超快并 行光信号处理、微波光子学等其它领域也有重要的应用。

目前，国际上已报道的典型多波长短脉冲源方案有四种：(1)基于发 光二极管(LED)或超连续谱(SC)的谱切割法；(2)主动锁模光纤激光 器；(3)外腔式主动锁模半导体激光器法；(4)单片式多波长半导体锁模 激光器。

基于LED宽带光源的谱切割方案已在WDM多波长发射模块中得到 应用，但这种方案的问题是经谱切割后分配给每个通道的光强较弱。基于 SC的谱切割方案需要超短脉冲源和特种非线性光纤，SC谱产生的效率较 低，而且谱切割过程中功率损耗大，价格较为昂贵，系统成本高和体积庞 大。

基于锁模光纤激光器产生多波长光脉冲的方案中，通常选用半导体光 放大器(SOA)或EDFA作为增益介质，利用光纤光栅(FBG)或法布里 -珀罗(F-P)滤波器作为波长选择元件，通过射频(RF)源驱动腔内调制 器进行主动锁模。也可以利用高非线性光纤中的四波混频效应实现多波长 脉冲输出。总体而言，基于锁模光纤激光器的方案都需要采用EDFA、调 制器以及特种光纤等分立元件，这导致整个器件体积庞大、成本高昂，为 它们的大规模商业部署带来了障碍。

外腔式多波长锁模激光器一般利用外腔反射镜，射频驱动的半导体光 放大器(SOA)，增益平坦滤波器，腔内标准具和衍射光栅等分立元件实 现主-被动混合锁模，可以实现比单纯的主动锁模或被动锁模方式更为有效 稳定的输出。但是基于分立器件的外腔锁模激光器腔长较长、输出激光重 复频率低、体积较大、系统调节也较复杂。

单片式多波长半导体锁模激光器是具有体积小、成本低、易于大规模 生产的优点。但是已有的实现方案中，只是简单的多个锁模激光器的并行 组合，各个被动锁模激光器只能独立工作，各通道间无法通过简单的RF 源驱动来实现同步，而且此类简单排列形成的阵列激光输出需要用带状光 纤进行耦合，这样给器件封装带来了很大的困难。

为了充分利用半导体激光器在体积、功耗、可靠性以及生产效率方面 的优点，同时解决前人方案中的同步、耦合等问题，本发明提出基于阵列 波导光栅AWG的多波长半导体锁模激光器，从而实现低噪声、多波长梳 状谱输出。

发明内容

(一)要解决的技术问题

有鉴于此，本发明的主要目的是提出一种单片集成式多波长半导体锁 模激光器的设计方案，预期以实现多个波长的超短脉冲同步输出。

(二)技术方案

为达到上述目的，本发明提出了一种单片集成式多波长半导体锁模激 光器，其为单片集成式脊型结构激光器，其输出的锁模脉冲具有多个不同 的波长通道；所述的激光器包括：半导体光放大器阵列(1)、相位调制器 阵列(2)、相位延迟波导阵列(3)、阵列波导光栅(4)、饱和吸收体(5)； 五个部分，所述五个部分通过无源脊波导连接，且通过干法刻蚀集成到同 一衬底上。

(三)有益效果

本发明提供的可实现多波长超短脉冲同步输出的多波长半导体锁模 激光器具有以下优势：(1)同采用频谱分割技术相比，该器件产生的多波 长信号噪声更小，边模抑制比(SMSR)可大于30dB，谱线更窄、抗色散能 力更强，传输速率可超过10Gb/s；(2)采用单片集成结构，消除了分立器 件之间的耦合损耗，具有体积小功耗低的特点；(3)器件的波长由AWG 的选模特性决定，无需传统DFB或DBR激光器中复杂的光栅制作工艺和 光栅掩埋生长工艺，提高器件的成品率，降低器件的成本，有利于在接入 网中的推广应用。

附图说明

为进一步说明本发明的技术特征，结合以下附图，对本发明作一详细 的描述，其中：

图1是本发明提供的一种单片集成式多波长锁模激光器的结构示意图；

图2是本发明实施例中激光器的有源器件区的材料生长结构；

图3是本发明实施例中激光器的无源器件区的材料生长结构；

图4是本发明实施例中激光器的纵向切面结构图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实 施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。

请参阅图1、2、3、4所示的实施例，本发明实施例提出了一种工作 于1550nm通讯波段的单片集成式多波长半导体锁模激光器，其包括一组 半导体光放大器阵列1；相位调制器阵列2；相位延迟波导阵列3；阵列波 导光栅4；饱和吸收体5，它们都通过干法刻蚀工艺集成到同一衬底上。 本发明提出的多波长半导体锁模激光器还可以工作在1550nm通讯波段之 外的其他任意波段，只需半导体增益材料能够在此波段提供足够多的增益。 所述衬底材料可以为本领域中常见的各种衬底，如InP衬底或者GaAs衬 底。构成部件1-5的材料体系即为与衬底相匹配的材料体系。在本实施例 中半导体光放大器阵列1、相位调制器阵列2、相位延迟波导阵列3、阵列 波导光栅4、饱和吸收体5五个部分制作在同一衬底上，且通过干刻技术 形成的无源脊波导连接起来。这五个部分及其间的无源脊波导连同器件两 端的解理端面共同形成了多波长锁模激光器。

在本实施例中半导体光放大器阵列1，其由多个具有半导体增益材料 的半导体光放大器组成，每个半导体光放大器用于在驱动电流激励作用下 产生光增益，当施加电流适当时，激光器腔内的光增益大于光损耗，激光 器实现稳定振荡，激射出光；每个光放大器增益介质的增益谱中心波长在 器件所要求的工作波长附近，如本发明实施例中为1550nm。半导体光放 大器为各个通道的输出提供增益，在特定电流下使每个通道的增益大于损 耗，从而实现激射输出。

在本实施例中相位调制器阵列2由多个具有与半导体光放大器相同材 料体系的相位调制器组成，其个数和半导体光放大器的个数均与输出波长 通道数相同。在器件结构中连接于半导体光放大器之后，一一对应。其主 要起到对不同通道的波长微调相位的作用，补偿由于器件制作过程中产生 的随机相差，改善各个通道的短脉冲输出质量。

在本实施例中相位延迟波导阵列3由无源弯曲波导阵列构成，其目的 是通过引入弯曲波导间不同的弯曲弧度补偿不同通道间的光程差，使得各 个通道的有效光程相等，从而保证各个通道内的短脉冲能够同一时间到达 饱和吸收体5。

在本实施例中的阵列波导光栅4，其材料与无源弯曲波导相同，中心 波长同半导体光放大器的增益谱中心波长相当，如本发明实施例中为 1550nm。阵列波导光栅的输出通道数目和各输出通道间间隔可由器件的具 体要求而定，如本发明实施例中为8通道输出，各通道间隔为200GHz (1.6nm@1550nm)。阵列波导光栅4是整个激光器光腔的一部分，其特有 的由罗兰圆结构和长度等差的阵列波导决定的传输特性不仅可以对半导 体光放大器产生的宽谱增益光进行光谱“分割”，形成多个波长通道；同 时，其传输特性可以将不同通道的波长复用至同一输出波导，实现不同波 长短脉冲的共同输出。

在本实施例中饱和吸收体5，其材料结构与半导体光放大器材料结构 相同，工作时加反向偏压。目的在于起到时域开关的作用：对其施加反向 偏压或者通过外界射频信号对其进行调制，我们可以通过饱和吸收体5分 别实现被动锁模、混合锁模。

在本实施例中，五个部分可分为两大部分：有源器件区和无源器件区。 其中，有源器件区包括半导体光放大器阵列1、饱和吸收体5两部分，二 者的材料与结构均为含有多量子阱结构的双异质结结构，其包括一InP衬 底6，一n-InP缓冲层7，一InGaAsP下限制层8，一多量子阱有源层9， 一InGaAsP上限制层10，一p-InP上盖层11，一p-InGaAs欧姆接触层12， 参见附图2；无源器件区包括相位调制器阵列2、相位延迟波导阵列3和 阵列波导光栅4三部分，三者的材料生长结构相同，其与有源器件区的材 料生长结构相比均不含多量子阱层9。除此之外，相位延迟波导阵列3和 阵列波导光栅4部分还不含p-InGaAs接触层12。上述结构以InP/InGaAsP 系材料为例来说明的，所述材料还可以是其他的半导体材料。

在本实施例中，器件不同部分间的电隔离通过选择性腐蚀掉p-InGaAs 欧姆接触层12来实现。器件的半导体光放大器阵列1、相位调制器阵列2 和饱和吸收体5分别在p-InGaAs欧姆接触层12上表面制作电极层13、14、 15。

本发明工作时：

首先对半导体光放大器阵列1中的各个半导体光放大器分别注入合适 的电流使得多个半导体光放大器所在的各个通道分别达到激射条件(光增 益大于光损耗)。由于多个半导体光放大器的增益介质材料生长结构相同， 故其提供的增益谱基本相同，中心波长位于器件设定的工作波长附近，如 本发明实施例中为1550nm附近。

其次，当每个通道的半导体光放大器产生的宽谱增益光通过与之对应 的相位调制器、相位延迟波导之后，由阵列波导光栅的各个输入波导进入 阵列波导光栅。由于其特有的传输特性，位于阵列波导光栅不同通道传输 谱内的波长受到的损耗远远小于位于不同通道传输谱外的波长，因此在整 个多波长锁模激光器腔内只有位于阵列波导光栅不同通道传输谱内的增 益波长才能实现稳定振荡，位于阵列波导光栅不同通道传输谱外的增益波 长由于损耗过大不能实现振荡而消失，从而实现宽谱增益光的分割，进而 实现多波长复用输出。如本发明实施例中阵列波导光栅具有八个通道，通 道间隔为200GHz(1.6nm@1550nm)，每个通道的中心波长分别为 1544.4nm、1546nm、1547.6nm、1549.2nm、1550.8nm、1552.4nm、1554nm 和1555.6nm(由于材料均匀性和制作工艺的影响，各通道中心波长和通道 间隔略有偏移)。

最后，阵列波导光栅将所有输入通道波长复用至同一输出波导，进入 饱和吸收体5。对饱和吸收体5施加适度的反向偏压，则其工作于饱和吸 收模式，它对不同通道中强光波长信号吸收较小，弱光波长信号吸收较大， 其结果就是不同通道波长输出的前后沿(弱光波长信号部分)会被进一步 衰减压缩，强光波长信号形成稳定振荡，器件进入被动锁模状态，实现多 个通道的超短脉冲输出。另外，对饱和吸收5体施加一外部射频信号，则 饱和吸收体5对各个通道的连续光进行周期性调制，会产生重复频率与外 部射频信号的重复频率整倍数相同的脉冲输出，实现混合锁模。当然，为 了实现多个波长的同步锁模输出，必须通过相位延迟波导阵列3来保证各 个通道的有效光程相等，解决器件工作时色散带来的影响；同时，通过调 节相位调制器阵列2中各个相位调制器的电流，则可以消除器件制备过程 中随机相差所带来的对各个波长输出脉冲质量的影响。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行 了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已， 并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、 等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。