基于单粒子效应的仿真方法和仿真装置

摘要

本发明适用于半导体器件领域，提供了一种基于单粒子效应的验证方法和仿真装置；所述基于单粒子效应的仿真方法包括：向半导体器件发射粒子，并确定所述粒子在所述半导体器件的入射角度；所述粒子入射所述半导体器件之后，采集与所述粒子在所述半导体器件中能量沉积相关的能量沉积数据；基于所述能量沉积数据和所述入射角度，建立入射角度-能量沉积的关系曲线，基于所述入射角度-能量沉积的关系曲线分析单粒子效应。通过该所述入射角度-能量沉积的关系曲线分析单粒子效应。