一种TSV Interposer结构及其封装方法

摘要

本发明公开了一种TSV Interposer结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其封装方法如下：取晶圆并在晶圆的一面开设盲孔Ⅰ，通过同时抽真空、加热、加压的方式将绝缘层压合在晶圆的表面和盲孔Ⅰ内，通过定位、激光开孔工艺在盲孔Ⅰ内开设盲孔Ⅱ，通过再布线工艺在绝缘层的表面和盲孔Ⅱ内形成再布线金属层Ⅰ，再布线金属层Ⅰ于晶圆的上方设置输入/输出端Ⅰ和保护层，通过机械抛磨的方法减薄晶圆的另一面，形成减薄面，通过再布线工艺在减薄面上形成再布线金属层Ⅱ，该再布线金属层Ⅱ于绝缘层开口处与再布线金属层Ⅰ连接，将采用晶圆级封装工艺完成的TSV Interposer结构切割、裂片。本发明有效地降低了工艺难度，提高了Interposer的良率。

说明书

技术领域

本发明涉及一种TSV Interposer结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

Interposer 中的Silicon  Interposer是用硅片做的类似电路板的器件，但其线宽、节点间距等都比电路板小。不同功能的芯片，比如CPU、 DRAM等可以连到同一silicon interposer 上面，通过Silicon  Interposer完成很多运算和数据交流，这样做比较省电，增加带宽。 类似于PCB， Silicon  Interposer一般都有灌铜的通孔(TSV)，不同芯片之间联合运算的结果，通过TSV传到与之连接的电路板。 所以Silicon  Interposer 相当于连接多个芯片和同一电路板之间的桥梁。Silicon  Interposer的TSV制作，传统工艺复杂，硅孔的直径受到限制，通常控制在30微米以内；如果将硅孔做得比较大，硅孔内填充的金属在后期使用时受热膨胀，导致硅孔或绝缘层破裂。因此，只能将硅孔做得较小；但小硅孔内的绝缘物质沉积、阻挡层/种子层沉积、以及填充金属又会变得很困难。因此，工艺控制比较难，良率也比较低。

发明内容

本发明的目的在于克服当前Interposer工艺制作的不足，提供一种降低工艺难度、提高良率的TSV Interposer结构及其封装方法。

本发明的目的是这样实现的：

本发明一种TSV Interposer结构，其包括硅基本体和硅通孔，所述硅通孔上下贯穿该硅基本体，所述硅基本体的一表面设置绝缘层，所述绝缘层延伸至硅通孔并布满硅通孔的内壁、且于所述硅通孔的底部开设绝缘层开口，

所述绝缘层的表面选择地设置再布线金属层Ⅰ，所述再布线金属层Ⅰ的表面沿绝缘层进入并填充实硅通孔，所述再布线金属层Ⅰ于硅基本体的上方的最外层设置输入/输出端Ⅰ，所述再布线金属层Ⅰ的表面覆盖保护层，并形成保护层开口，露出输入/输出端Ⅰ，

硅基本体的另一表面设置再布线金属层Ⅱ，所述再布线金属层Ⅱ于绝缘层开口处与再布线金属层Ⅰ连接，所述再布线金属层Ⅱ的最外层设有输入/输出端Ⅱ，所述再布线金属层Ⅱ的最内层与硅基本体的另一表面之间设置介电层，所述输入/输出端Ⅱ设置连接件。

所述硅通孔的横截面呈圆形，其直径为60～150微米，其深度为50～150微米。

所述再布线金属层Ⅰ和/或再布线金属层Ⅱ为复数层结构。

所述连接件为焊球或焊块或顶端为焊球的金属微柱。

所述绝缘层呈薄膜状。

于硅通孔内的所述绝缘层的厚度范围为10～30微米。

所述再布线金属层Ⅱ的最外层为介电层，并形成介电层开口，露出输入/输出端Ⅱ。

本发明一种TSV Interposer结构的封装方法，包括步骤：

取晶圆，并在晶圆的一面通过刻蚀的方法开设盲孔Ⅰ；

通过同时抽真空、加热、加压的方式将绝缘层压合在晶圆的表面和盲孔Ⅰ内；

通过定位、激光开孔工艺在盲孔Ⅰ内开设盲孔Ⅱ，盲孔Ⅱ的底部开设绝缘层开口；

通过再布线工艺在绝缘层的表面选择地形成再布线金属层Ⅰ，该再布线金属层Ⅰ按设计规划沿绝缘层进入临近的盲孔Ⅱ，并填充实盲孔Ⅱ，再布线金属层Ⅰ于晶圆的上方设置输入/输出端Ⅰ。

保护层覆盖于再布线金属层Ⅰ，并形成保护层开口，露出输入/输出端Ⅰ；

通过机械抛磨的方法减薄晶圆的另一面，直至露出再布线金属层Ⅰ在盲孔Ⅱ的末端，形成减薄面，并使盲孔Ⅰ成为硅通孔；

通过再布线工艺在减薄面上形成再布线金属层Ⅱ，该再布线金属层Ⅱ于绝缘层开口处与再布线金属层Ⅰ连接，再布线金属层Ⅱ的最外层设有输入/输出端Ⅱ，该再布线金属层Ⅱ的最内层与晶圆的另一表面之间设置介电层，其最外层为介电层，并形成介电层开口，露出输入/输出端Ⅱ；

在输入/输出端Ⅱ设置连接件；

将采用晶圆级封装工艺完成的TSV Interposer结构切割、裂片，形成单体。

所示绝缘层压合在晶圆的表面和盲孔Ⅰ内的条件：真空度为200Pa±10 Pa，加热温度设定在材料软化点附近，压力需要达到5kgf/cm²±0.2 kgf/cm²。

所述加热温度为120～150°。

TSV Interposer是在硅上做成双面布线层及焊点，通过硅通孔实现垂直方向的互联；TSV Interposer利用半导体工艺可以做得比较精细。

相比与现有方案，本发明的有益效果是：

1、本发明利用硅通孔内填充绝缘层，然后再通过激光工艺形成贯穿绝缘层的微孔，微孔内填充再布线金属；微孔内绝缘层可以吸收金属膨胀时的应力，因此可以适当放大微孔的口些，以更好地进行孔内填充，有效地降低了工艺难度，提升了Interposer的良率；

2、本发明通过同时控制绝缘层贴合的真空、加热、加压的条件，有效地形成均匀的、充足的绝缘层厚度，提升了Interposer的良率。

附图说明

图1为本发明一种TSV Interposer结构的封装方法的流程图；

图2为本发明一种TSV Interposer结构的实施例的剖面示意图；

图3为图2的变形；

图4～图15为图3的一种TSV Interposer结构的封装方法的流程图；

图16为盲孔Ⅰ的另一种填充方法的示意图；

图中：

硅基本体11

硅通孔111

绝缘层2

绝缘层开口211

介电层31

介电层33

介电层开口331

再布线金属层Ⅰ41

输入/输出端Ⅰ411

再布线金属层Ⅱ42

输入/输出端Ⅱ421

保护层5

保护层开口51

连接件7

金属微柱71

焊球72；

晶圆10

盲孔Ⅰ101

盲孔Ⅱ210

毛细孔102。

具体实施方式

参见图2，本发明一种TSV Interposer结构的封装方法的工艺流程如下：

S1：取晶圆并在晶圆的一面开设盲孔Ⅰ；

S2：通过同时抽真空、加热、加压的方式将绝缘层压合在晶圆的表面和盲孔Ⅰ内；

S3：通过激光定位、开孔工艺在盲孔Ⅰ内开设盲孔Ⅱ；

S4：通过再布线工艺在绝缘层的表面和盲孔Ⅱ内形成再布线金属层Ⅰ，再布线金属层Ⅰ于晶圆的上方设置输入/输出端Ⅰ和保护层；

S5：通过机械抛磨的方法减薄晶圆的另一面，直至露出再布线金属层Ⅰ在盲孔Ⅱ的末端，形成减薄面；

S6：通过再布线工艺在减薄面上形成再布线金属层Ⅱ，该再布线金属层Ⅱ于绝缘层开口处与再布线金属层Ⅰ连接，再布线金属层Ⅱ的最外层设有输入/输出端Ⅱ；

S7：将采用晶圆级封装工艺完成的TSV Interposer结构切割、裂片，形成单体。

现在将在下文中参照附图更加充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例，从而本公开将本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。然而，本发明可以以许多不同的形式实现，并且不应被解释为限制于这里阐述的实施例。

实施例，参见图2至图3

本发明一种TSV Interposer结构，其硅基本体11设置若干个上下贯穿硅基本体11的硅通孔111。硅通孔111的横截面可以呈圆形或四边形、六边形等多边形，图中所示的硅通孔111的横截面呈圆形，其直径为60～150微米，其深度为50～150微米。

硅基本体11的一表面设置绝缘层2，该绝缘层2延伸至硅通孔111并布满硅通孔111的内壁、且于硅通孔111的底部开设绝缘层开口211，该绝缘层2呈薄膜状。该绝缘层2的材质为环氧树脂与填料形成的复合材料，填料可以是颗粒状的氧化硅或者氧化铝等材料。绝缘层2于硅通孔111的厚度范围一般在10～30微米，以保证使具有半导体性质的硅基本体11绝缘。绝缘层2的表面选择地设置再布线金属层Ⅰ41，该再布线金属层Ⅰ41的表面沿绝缘层2进入并填充实硅通孔111（再布线金属层Ⅰ41与绝缘层2之间有金属种子层，图中未示出）。该再布线金属层Ⅰ41可以是单层，也可以是多层。再布线金属层Ⅰ41于硅基本体11的上方的最外层设置输入/输出端Ⅰ411，保护层5覆盖再布线金属层Ⅰ41，并形成保护层开口51，露出输入/输出端Ⅰ411。保护层开口51的形状由实际需要确定。

硅基本体11的另一表面设置再布线金属层Ⅱ42，该再布线金属层Ⅱ42于绝缘层开口211处与再布线金属层Ⅰ41连接，该再布线金属层Ⅱ42可以是单层，也可以是复数层，以满足多重信息输入/输出的需要，再布线金属层Ⅱ42的最外层设有输入/输出端Ⅱ421。该再布线金属层Ⅱ42的最内层与硅基本体11的另一表面之间设置介电层31（再布线金属层Ⅱ42与介电层31之间有金属种子层，图中未示出）。输入/输出端Ⅱ421设置连接件7。连接件7包括但不限于焊球或焊块，也可以是顶端为焊球的金属微柱。

图3中，再布线金属层Ⅱ42的最外层也可以为介电层33，并形成介电层开口331，露出输入/输出端Ⅱ421。输入/输出端Ⅱ421设置连接件7。连接件7包括但不限于焊球或焊块，也可以是顶端为焊球的金属微柱。

使用时，TSV Interposer结构位于芯片与封装基板（如PCB板）之间，在半导体芯片与封装基板的之间进行引脚节距的密和疏的转换，起到转接作用。

本发明图3所示实施例的一种TSV Interposer结构的封装方法，参见图4至图15，包括如下步骤：

参见图4，取晶圆10，并在晶圆10的一面通过刻蚀的方法开设盲孔Ⅰ101，盲孔Ⅰ101的位置根据实际需要的硅通孔111的参数设计确定，其深度需要为后续成形的硅通孔111留足够余量。

参见图5，在晶圆10开设盲孔Ⅰ101的表面贴合呈薄膜状的绝缘层2，该绝缘层2延伸至盲孔Ⅰ101并通过压合的方法进行盲孔Ⅰ101的填充。该绝缘层2的材质为环氧树脂与填料形成的复合材料，填料可以是颗粒状的氧化硅或者氧化铝等材料。该绝缘层2通过同时抽真空、加热、加压的方式进行压合，使其贴合于晶圆10的表面，并且渗入盲孔Ⅰ101的内部。具体地，绝缘层2在贴合晶圆10的表面和填充盲孔Ⅰ101过程中采用真空压膜设备，选择用低压，一般降压至真空度为200Pa左右，加热温度设定在材料软化点附近，压力需要达到5kgf/cm²左右，以将孔内部的残留气体排出，保证绝缘层能够填充盲孔Ⅰ101的内部。上述参数根据绝缘层2的实际掺合比例决定，优选真空度为200Pa±10 Pa，加热温度为120～150°，压力为5kgf/cm²±0.2 kgf/cm²。

参见图6，通过定位、激光烧蚀开孔工艺在盲孔Ⅰ101内开设盲孔Ⅱ210，盲孔Ⅱ210的开口尺寸小于盲孔Ⅰ101的开口尺寸，使盲孔Ⅱ210的内壁留有一定厚度的绝缘层2，通常绝缘层厚度需要在10微米以上，以保证使具有半导体性质的硅基本体11绝缘。盲孔Ⅱ210的底部开设绝缘层开口211。

参见图7，通过再布线工艺在绝缘层2的表面选择地形成再布线金属层Ⅰ41，该再布线金属层Ⅰ41按设计规划沿绝缘层2进入临近的盲孔Ⅱ210，并填充实盲孔Ⅱ210，再布线金属层Ⅰ41于晶圆10的上方设置输入/输出端Ⅰ411。具体地，该再布线金属层Ⅰ41的制作方法为：先通过化学镀铜工艺在绝缘层2的表面形成厚度0.5微米左右的金属种子层，然后依次通过光刻开口图案、电镀金属、去光刻胶、腐蚀无效金属种子层，最终形成绝缘层2表面的金属线路和盲孔Ⅱ210内的金属填充。

参见图8，保护层5覆盖再布线金属层Ⅰ41，并形成保护层开口51，露出输入/输出端Ⅰ411。保护层开口51的形状由实际需要确定。

参见图9和图10，硅基本体11的上方通过粘合胶91临时键合载体圆片9，并整体上下翻转180°，使晶圆10的另一面朝上。

参见图11，通过机械抛磨的方法减薄晶圆10的另一面，可以去除部分露出再布线金属层Ⅰ41在盲孔Ⅱ210的末端，形成光滑、平坦的减薄面120，并使盲孔Ⅰ101成为硅通孔111。

参见图12，再次通过再布线工艺在减薄面120上形成再布线金属层Ⅱ42，该再布线金属层Ⅱ42于绝缘层开口211处与再布线金属层Ⅰ41连接，该再布线金属层Ⅱ42可以是单层，也可以是复数层，以满足多重信息输入/输出的需要，再布线金属层Ⅱ42的最外层设有输入/输出端Ⅱ421。该再布线金属层Ⅱ42的最内层与晶圆10的另一表面之间设置介电层31，其最外层为介电层33，并形成介电层开口331，露出输入/输出端Ⅱ421。

参见图13，在输入/输出端Ⅱ421设置连接件7。连接件7包括但不限于焊球或焊块，或者是顶端为焊球的金属微柱。

参见图14，通过拆键合工艺去除粘合胶91和载体圆片9。

参见图l5，将采用晶圆级封装工艺完成的TSV Interposer结构沿切割线19切割、裂片，形成单体。

本发明一种圆片级TSV Interposer结构及其封装方法不限于上述优选实施例，如在盲孔Ⅰ101的底部通过激光开孔工艺可以开设尽可能多的毛细孔102，该毛细孔102的深度越深越好，最好穿透晶圆10的剩余深度。由于众多毛细孔102的存在，残存的气体可以暂时寄居于毛细孔102，绝缘层2也可以有效地填满盲孔Ⅰ101，如图16所示。

因此，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化及修饰，均落入本发明权利要求所界定的保护范围内。