一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的方法和装置

摘要

本实发明涉及一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的方法和装置。方法具体包括以下步骤：第一步，用运载气体携带半导体材料经由进料分配器均匀地分布在坩锅内底部，即进行第一级浓度分布；第二步，加热升华成气相的半导体材料同运载气体一起穿过多孔透气膜进行第二级浓度分布后，进入坩锅和致密外壳之间的空间；第三步，气相半导体材料同运载气体在坩锅和致密外壳之间的空间内完成第三级浓度分布；第四步，气相半导体材料同运载气体经致密外壳底部的出气通道进行第四级浓度分布后，沉积在表面温度比气相半导体材料温度底的所述玻璃基板的上表面上，即形成半导体薄膜。本发明显著提高了在玻璃基板上沉积形成的薄膜的厚度和质量的均匀性。