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公开/公告号CN102819116A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-12-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;
申请/专利号CN201210273995.X
发明设计人 王建宇;何志平;陈爽;吴金才;舒嵘;袁立银;
申请日2012-08-03
分类号G02B27/28;G02B27/10;
代理机构上海新天专利代理有限公司;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2023-12-18 07:36:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-03-11
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02B27/28 申请公布日:20121212 申请日:20120803
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-01-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G02B27/28 申请日:20120803
实质审查的生效
2012-12-12
公开
机译: 基于介电隔离晶片的具有高量子效率的快速Si二极管和阵列
机译:发行人注:“通过分子束外延生长具有高内部量子效率的基于AIGaN的深紫外发光二极管” [Appl。物理来吧98,081110(2011)]
机译:通过分子束外延生长具有高内部量子效率的基于AIGaN的深紫外发光二极管
机译:基于分子束外延生产的GaN / AlGaN量子阱的高功率紫外发光二极管
机译:基于量子点SESAM的保偏皮秒光纤振荡器
机译:高功率,窄谱和被动模式锁定的基于型型I量子井级联二极管激光器
机译:勘误:基于化学功能化石墨烯量子点的高色纯度绿色橙色和红色发光二极管
机译:采用二极管泵浦的超低相位噪声微波产生 基于固态激光的频率梳和保偏脉冲 交织