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形成具有金红石晶体结构的氧化钛膜的方法

摘要

本发明提供一种形成具有金红石晶体结构的氧化钛膜的方法,所述金红石晶体结构具有高电容率。所述方法包括:形成无定形氧化锆膜的步骤;通过原子层沉积(ALD)法使用甲基环戊二烯基三(二甲基氨基)钛作为钛前体在所述无定形氧化锆膜上形成无定形氧化钛膜的步骤;以及通过在300℃以上的温度下的退火至少使所述无定形氧化钛膜结晶的步骤。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-01-14

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/8242 申请公布日:20121205 申请日:20120521

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-12-05

    公开

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