基于多晶硅的超材料制备方法和基于多晶硅的超材料

摘要

本发明提供了一种基于多晶硅的超材料制备方法，该方法包括：对硅衬底进行氧化，获得二氧化硅绝缘层；在所述二氧化硅绝缘层上淀积一层多晶硅；在所述多晶硅上涂覆一层光刻胶，根据预设的微阵列结构对所述光刻胶进行光刻；将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述多晶硅上；去除涂覆在所述多晶硅上的光刻胶，得到具有所述微阵列结构的超材料。本发明实施例还提供了一种基于多晶硅的超材料。以得到微结构可控性能更高、也更符合设计要求的超材料。