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二步法脉冲沉积制备高密度类金刚石薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种二步法脉冲沉积制备高密度类金刚石薄膜的方法,属于金属或非金属表面改性处理的技术领域。该方法采用主要操作步骤是:超声波清洗、抽真空、离子清洗、二步法DLC沉积,所述离子清洗中通入氩气,DLC沉积中电弧放电脉冲频率为12Hz,电压为220~380V,二步法沉积时成核阶段甲烷量控制为3-10%,其余为氢气;在长膜阶段,甲烷量控制为1-4%,其余为氢气。本发明通过特殊脉冲电弧放电,形成高速、高能量的碳等离子束对通入的碳氢化合物气体分子产生碰撞分解离化,增加碳离子密度,增强绕射性,从而提高DLC沉积速度,增加其附着力,减少内应力,二步法的沉积有利于实现高密度成核及定向晶面成长。

著录项

  • 公开/公告号CN102776485A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-11-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陈伟;

    申请/专利号CN201110120267.0

  • 发明设计人 陈伟;

    申请日2011-05-09

  • 分类号C23C16/27;C23C16/515;C23C14/06;C23C14/32;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 225500 江苏省姜堰市姜堰镇罗塘东路112号

  • 入库时间 2023-12-18 07:11:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-31

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/27 申请公布日:20121114 申请日:20110509

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-11-14

    公开

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