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基于中远场主波束幅相合成的相控阵局部阵面辐射场快速推演方法

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摘要

一种基于中远场主波束幅相合成的相控阵局部阵面辐射场快速推演方法，属于电磁兼容性预测领域，它包括如下步骤：1）架设相控阵局部阵面和测试天线，使二者主波束对准且极化匹配，测试天线位于相控阵局部阵面的主波束辐射场内、且与相控阵局部阵面中心的距离为R，测试天线的射频输出端接入频谱分析仪；2）相控阵局部阵面以频率

著录项

  • 公开/公告号CN102735949A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国舰船研究设计中心;

    申请/专利号CN201210213520.1

  • 发明设计人 谢大刚;吴楠;王春;温定娥;张炜;黄明亮;

    申请日2012-06-26

  • 分类号G01R29/08;G01R29/10;

  • 代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人胡建平

  • 地址 430064 湖北省武汉市武昌区紫阳路268号

  • 入库时间 2023-12-18 06:52:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01R29/08 申请公布日:20121017 申请日:20120626

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-12-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R29/08 申请日:20120626

    实质审查的生效

  • 2012-10-17

    公开

    公开

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