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一种两步法制备氮化镓/硫化锌纳米异质结方法

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摘要

本发明公开了一种两步法制备氮化镓/硫化锌纳米异质结的方法，是通过以下工艺过程实现的：将装有一定量氧化镓（纯度为质量百分比99.999%）粉末的陶瓷舟置于长度为100cm的水平刚玉管式炉正中间，在距陶瓷舟20cm-25cm处放置镀金衬底，密闭管式炉抽真空到2×10

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-12-23

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G9/08 申请公布日:20120912 申请日:20120503

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-09-12

公开

公开

1. 一种两步法制备氮化镓/硫化锌纳米异质结方法 [P] . 中国专利： CN102659174A . 2012-09-12
2. 一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结的方法 [P] . 中国专利： CN102205951A . 2011-10-05
3. HETERO-JUNCTION CONTAINING MAGNESIUM NITRIDE NANO WIRE AND GALLIUM NANO WIRE THIN-WALL COVERED WITH GRAPHITIC CARBON NANO TUBE CONTENT [P] . 日本专利： JP2008311396A . 2008-12-25

机译：含石墨碳纳米管含量的氮化镁纳米线和镓纳米线异质结薄壁涂层
4. PREPARATION METHOD FOR HOT ELECTRON TRANSISTOR IN HIGH FREQUENCY GALLIUM NITRIDE/GRAPHENE HETEROJUNCTION [P] . 世界知识产权组织专利： WO2019153431A1 . 2019-08-15

机译：高频氮化镓/石墨烯异质结中热电子晶体管的制备方法
5. Gallium nitride film production method and nitride-based heterojunction field effect transistor manufacturing method [P] . 韩国专利： KR101046144B1 . 2011-07-01

机译：氮化镓膜的制造方法及氮化物基异质结场效应晶体管的制造方法