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通过使用感测放大器作为写驱动器的减小面积的存储器阵列

摘要

公开了用于减小实现存储器阵列(诸如SRAM阵列)所需面积的技术。该技术例如可实施在包含感测放大器的存储器阵列设计中,其中感测放大器配置成在用于从存储单元中读出的读模式和用于写到存储单元的写模式操作。此外,公共列多路复用器可用于读功能和写功能(与具有用于读和写的单独多路复用器相反)。

著录项

  • 公开/公告号CN102656639A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-09-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201080059259.3

  • 发明设计人 F.罕昭格卢;K.张;

    申请日2010-11-30

  • 分类号G11C11/413(20060101);G11C11/416(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人汤春龙;刘春元

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-18 06:20:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-01

    授权

    授权

  • 2012-10-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/413 申请日:20101130

    实质审查的生效

  • 2012-09-05

    公开

    公开

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