法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-05-21
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N21/55 申请公布日:20120801 申请日:20120309
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-09-26
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/55 申请日:20120309
实质审查的生效
2012-08-01
公开
公开
机译: 在其激光面上具有高反射率反射器的半导体激光器,具有该半导体激光器的光学集成装置及其制造方法
机译: 起爆系统,起爆系统的操作方法和起爆器的起爆器
机译: 包括选择性地设置以控制发射区域中的反射率的介电膜的表面发射激光器元件,表面发射激光器阵列,光学扫描仪装置和图像形成设备