一种连续曝光时透镜受热引起图形变化的监控方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种连续曝光时透镜受热引起图形变化的监控方法，通过在掩模板上制备不同的密集线条和孤立线条图形，以仿真模拟多次连续曝光多片晶圆，测量并对比曝光后前后不同晶圆上不同线条的尺寸，以尽快发现设备异常，从而避免发生大规模产品质量问题。