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用于等离子体蚀刻腔室的增强耐腐蚀性的石英

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摘要

在此提供一种制造掺杂的石英组件的方法。在一实施例中，该掺杂的石英组件为掺杂钇的石英环，所述石英环配置来支撑基板。在另一实施例中，该掺杂的石英组件为掺杂钇和铝的盖环。在又一实施例中，该掺杂的石英组件为含钇、铝和氮的盖环。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-05

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20121128 终止日期:20180416 申请日:20080416

专利权的终止
2012-11-28

授权

授权
2012-11-28

授权

授权
2012-01-25

著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/00 变更前: 变更后: 申请日:20080416

著录事项变更
2012-01-25

著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/00 变更前: 变更后: 申请日:20080416

著录事项变更
2010-05-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/00 申请日:20080416

实质审查的生效
2010-05-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20080416

实质审查的生效
2010-03-24

公开

公开
2010-03-24

公开

公开

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1. 用于等离子体蚀刻腔室的增强耐腐蚀性的石英 [P] . 中国专利： CN101681799B . 2012.11.28
2. 用于原子精度蚀刻的独立控制等离子体密度、自由基组成及离子能量的低电子温度蚀刻腔室 [P] . 中国专利： CN108140575A . 2018-06-08
3. The quartz which strengthens the corrosion resistance which is used with the plasma etching chamber [P] . 日本专利： JP2010524822A . 2010-07-22

机译：与等离子体蚀刻室一起使用的增强耐腐蚀性的石英
4. METHOD OF PROTECTING QUARTZ HARDWARE FROM ETCHING DURING PLASMA-ENHANCED CLEANING OF A SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER [P] . 美国专利： US2001010228A1 . 2001-08-02

机译：在等离子体处理腔室的等离子体增强清洁过程中保护石英硬件免受腐蚀的方法
5. A PLASMA PROCESSING SYSTEM FOR PROCESSING A WAFER USING SINGLE FREQUENCY RF POWER, A PLASMA PROCESSING APPARATUS FOR ETCHING A WAFER, AND A METHOD FOR PROCESSING A WAFER IN A PLASMA PROCESSING CHAMBER USING SINGLE FREQUENCY RF POWER [P] . 韩国专利： KR100807131B1 . 2008-02-27

机译：用于使用单频射频功率处理晶片的等离子体处理系统，用于蚀刻晶圆的等离子体处理装置以及用于使用单频射频功率的等离子体处理腔室中的晶片的方法