侧壁具有微柱透镜阵列图案的LED芯片的制造方法

摘要

本发明提出一种侧壁具有微柱透镜阵列图案的LED芯片的制造方法，步骤如下：在一衬底上由下至上依次生长外延层和电流扩散层；利用侧壁具有圆弧形阵列和台面图案的光刻版进行光刻工艺，在所述电流扩散层上形成光刻胶，所述光刻胶具有侧壁微柱透镜阵列和台面图案；以所述光刻胶为掩膜，对电流扩散层进行湿化学过刻蚀；继续以所述光刻胶为掩膜，对外延层进行干法刻蚀，形成台面；去除所述光刻胶，分别形成侧壁具有微柱透镜阵列图案的外延层和侧壁具有圆弧形阵列图案的电流扩散层；在所述电流扩散层上制作P电极，在所述台面上制作N电极。本发明兼顾成本支出，简化工艺流程，降低工艺复杂性，提升了工艺稳定性，并实现LED芯片取光效率的提升。