法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-12-04
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S3/06 申请公布日:20120606 申请日:20101227
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-08-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S3/06 申请日:20101227
实质审查的生效
2012-06-06
公开
公开
机译: 复合半导体,复合半导体晶体以及使用复合半导体和复合半导体晶体的半导体器件和半导体激光器
机译: 使用相同的复合激光晶体和固态激光器件
机译: 复合沟道金属氧化物半导体激光器场效应晶体管(MOSFET)