具有带有辐射出射侧和绝缘层的至少一个第一半导体本体的光电子模块及其制造方法

摘要

本发明提出了一种光电子模块，其具有带有辐射出射侧(2a)的第一半导体本体(2)，在所述辐射出射侧上设置有电端子区域(21、22)。第一半导体本体(2)借助与辐射出射侧(2a)对置的侧设置在支承体(1)上。在支承体(1)上侧向地在第一半导体本体(2)旁设置有绝缘材料(3)，其构成喉部并且形状配合地邻接于半导体本体(2)。在第一半导体本体(2)和绝缘材料(3)上至少局部地设置有绝缘层(4)，在其上为了第一半导体本体(2)的平面接触而设置有平面导电结构，所述平面导电结构与电端子区域(21、22)导电地连接。此外，提出了一种用于制造这类光电子模块的方法。

说明书

本专利申请要求德国专利申请102009039891.0的优先权，其公开 内容通过引用并入本文。

本发明涉及一种具有至少一个第一半导体本体的光电子模块，所述 第一半导体本体具有辐射出射侧、绝缘层和平面导电结构用于平面接触 半导体本体。此外，本发明涉及一种制造光电子模块的方法。

例如从文献DE 10353679A1中已知一种具有被平面接触的半导体 本体的器件。特别是该器件具有衬底、设置于衬底上的光电子半导体本 体和绝缘层，其中绝缘层在衬底与光电子半导体本体至上引导。为了接 触光电子半导体本体，以金属化部为形式的平面导电结构引向半导体本 体的接触部位和衬底的带状导线。

在常规的平面接触技术中，在大多情况下绝缘层紧紧靠至于半导体 本体的侧，因此绝缘层在半导体本体的侧面形成陡峭的侧腹，所述侧腹 在制造方法中只能困难地曝光。此外，在半导体本体的侧面能够形成在 绝缘层之下的空腔，其可能有害地影响器件的可靠性。

本发明所基于的目的在于提供改进的光电子模块，其特别是具有小 的结构高度以及同时的高可靠性，并且此外特征在于简化的制造方法。

所述目的通过具有权利要求1所述特征的光电子模块及其借助权利 要求10所述特征的制造方法来实现。模块和制造其方法的有利实施形 式和优选改进方案是从属权利要求的内容。

根据本发明设有光电子模块，其具有带有辐射出射侧的至少一个第 一半导体本体。在辐射出射侧上设置有至少一个电端子区域，其中第一 半导体本体借助与辐射出射侧相对置的侧设置在支承体上。在支承体 上，侧向地在第一半导体本体旁设置有绝缘材料，所述绝缘材料构成喉 部(Kehle)，并且形状配合地邻接在半导体本体上。例如，在第一半导 体本体和绝缘材料上至少局部地设置有绝缘层，其中在绝缘层上，为了 第一半导体本体的平面接触而设置有至少一个平面导电结构，所述导电 结构与第一半导体本体的电端子区域导电地连接。

通过半导体本体的平面接触有利地得到特别小的模块结构高度。因 此，可以有利地提供紧凑的模块，其中可以将导电结构紧邻半导体本体 来设置。

有利地，通过设置在半导体本体侧面上并且直接邻接在所述侧面上 的绝缘材料，可以避免在绝缘层和支承体之间的空腔，由此有利地提高 模块的可靠性。

此外，通过绝缘材料，特别是在半导体的侧面上可以避免绝缘层的 陡峭的侧腹。例如，在制造模块的时候，绝缘层的陡峭的侧腹导致曝光 工艺变得更困难，因此，会有害地影响模块的可靠性。尤其通过侧向于 半导体本体地设置在绝缘层和支承体之间的绝缘材料，使得没有绝缘层 的陡峭的侧腹产生，从而实现简化的制造以及模块的高可靠性。

绝缘材料特别是侧向地在第一半导体本体旁构成为喉部。特别是绝 缘材料喉部状地并形状配合地设置在半导体本体上，因此在侧向地在第 一半导体本体旁的区域中能够避免在绝缘材料和支承体之间的空腔。优 选地，绝缘层直接设置在绝缘材料上，使得在绝缘材料和绝缘层之间不 会构成空腔。因此，可以有利地改善模块的可靠性。

因此，光电子模块具有两个单独的绝缘部件，其至少局部地环绕第 一半导体本体。特别是侧向地在第一半导体本体旁设置有绝缘材料。在 绝缘材料上和优选直接在半导体本体上设置有绝缘层。

特别是可以如此电绝缘地构成半导体本体的关键侧表面。优选可以 通过绝缘的双部件构造，即通过绝缘层以及通过绝缘材料，避免串扰、 特别是所谓的“Cross-Talking(串扰)”。

在根据本发明的模块中，特别是在模块中产生空腔和/或空穴的危险 明显地减少。此外，得到下面的优点：

-基于绝缘层简化的曝光工艺节省进程时间并且由此节省工艺成本，

-通过平滑的形貌和更好的曝光质量得到较高的产出，因为通过绝缘材 料可以避免在半导体本体之间和侧向于半导体本体的间隙，

-通过清晰地轮廓和/或形貌，避免了可靠性问题，

-半导体本体的侧腹区域的3D可结构化性，

-半导体本体也在半导体本体侧区域中的高绝缘性，

-对于例如环境影响(“恶劣环境(Harsh Environment)”)的保护。

半导体本体优选是半导体芯片，特别优选发光二极管(LED)或激 光二极管。特别优选地，半导体本体是薄膜半导体本体。薄膜半导体本 体特别是在其制造中生长层脱落的半导体本体。

优选地，半导体本体具有发射辐射的有源层。有源层具有优选pn 结、双异质结构、单量子阱结构(SQW，single quantum well)或多量 子阱(MQW，multi quantum well)用于产生辐射。半导体本体优选基 于氮化物、磷化物或砷化物化合物半导体。

在模块的优选扩展方案中，至少一个第二半导体本体在第一半导体 本体旁设置在支承体上。在半导体本体之间的区域中，绝缘材料形状配 合地邻接在半导体本体上。邻接在第一半导体本体和第二半导体本体的 外侧上的绝缘材料分别构成为喉部，并且形状配合地邻接在半导体本体 上。

因此，所述模块既可以用所谓的单芯片结构技术或也可以用多芯片 阵列结构技术制成。特别是通过借助绝缘材料和绝缘层实现的双部件绝 缘可以补偿不同半导体本体的不同厚度以及不同的半导体本体彼此之 间的距离。例如，在支承体上可以设置多个半导体本体，其在半导体本 体所发射的辐射的波长方面不同，并且因此发射不同的颜色。因此，模 块可以根据相应的使用而装备有不同的半导体本体。特别是有利地实现 了匹配于相应应用的灵活模块。

在光电子模块的另一优选扩展方案中，在第一半导体本体和第二半 导体本体之间设置多个其他的半导体本体，其中绝缘材料分别在相邻的 半导体本体之间的区域中形状配合地邻接在半导体本体上。

因此，在模块中可以有利地避免空腔和空穴，由此有利地提高了模 块的可靠性。通过半导体本体绝缘的双部件结构可以将特别是不同厚 度、大小和/或距离的半导体本体结合，在这里不会影响模块的可靠性， 其中有利地不需要高开销的进程优化，因此使进程时间并且因此进程成 本最小化。

在光电子模块的另一优选扩展方案中，绝缘材料和/或绝缘层对于从 半导体本体发射的辐射或分别从半导体本体发射的辐射是透明的。从一 个半导体本体或多个半导体本体发射的辐射可以通过绝缘层和绝缘材 料耦合输出，而不会在这里遭受明显的光学损耗。

在光电子模块的另一优选扩展方案中，绝缘材料和/或绝缘层包括转 换材料。优选地，在绝缘层和/或绝缘材料中的转换材料吸收至少部分 的、从一个或多个半导体本体发射的辐射，并且再发射在其他的波长范 围内的次级辐射。因此，模块发射混合辐射，其包括从一个或多个半导 体本体发射的辐射和转换材料的次级辐射。优选地，例如可以产生发射 白色色度坐标中的混合辐射的模块。

可替代地，在一个或多个半导体本体上，特别是在辐射出射侧上可 以设置转换材料，其例如以薄片为形式。例如，这类的转换薄片可以分 别粘贴在或借助丝网印刷方法施加在相应半导体本体的辐射出射侧上。

在此，半导体本体的辐射出射侧可以不具有绝缘材料和绝缘层。如 果绝缘层构成为透明的，那么可替代地，辐射出射侧可以借助绝缘层覆 盖。

在模块的优选扩展方案中，绝缘材料是UV稳定的。优选地，绝缘 材料包括聚合物材料。特别优选地，绝缘层也包括聚合物材料。例如， 绝缘材料可以包括硅酮，并且绝缘层可以是硅酮膜。

在模块的特别优选的扩展方案中，绝缘层是多功能膜，其提高至少 一个其他的功能性，该其他功能性选自环境影响保护、UV保护、吸水 保护、退化保护、温度影响保护和/或裂缝形成保护中选出。多功能膜 作为“混合膜”或“多层”是技术人员已知的。

因此，有利地实现了对于模块的多个要求。特别是在这种情况下， 绝缘层不只设置用于一个或多个半导体本体的绝缘，而是例如进一步实 现了保护支承体上的半导体本体的功能。

为了第一半导体本体或多个半导体本体的平面接触，在绝缘层上设 置有至少一个平面导电结构。所述多个或一个平面导电结构例如是构成 为金属结构。平面导电结构，特别是半导体本体的平面接触，例如是本 领域技术人员从文献DE10353679A1中已知的，并且因此在这里不会 进一步地讨论。

如果在支承体上设置有多个半导体本体，那么其可以分别以平面导 电结构彼此导电地连接。在这种情况下，平面导电结构也优选设置在绝 缘层上，并且因此分别借助绝缘层与半导体本体电绝缘。

特别是平面导电结构分别与半导体本体的电端子区域导电地连接。 在这里，绝缘层在半导体本体的电端子区域中分别具有凹部，平面导电 结构分别引导通过该凹部。

根据本发明的制造光电子模块的方法包括特别是下面的步骤：

a)将第一半导体本体借助与辐射出射侧背离的侧设置在支承体上，

b)将绝缘材料侧向地第一半导体本体旁设置在支承体上，使得绝缘材 料构成为喉部，并且形状配合地构成在半导体本体上。

c)接着，将绝缘层局部地施加在半导体本体和绝缘材料上，

d)接着，将至少一个平面导电结构施加在绝缘层上，用于第一半导体 本体的电接触。

在将绝缘层施加在半导体本体之前，绝缘材料相应地侧向地半导体 本体旁施加在支承体上。绝缘材料在这里施加为使得绝缘材料形成喉 部，并且形状配合地邻接在半导体本体上。然后，在绝缘材料上施加绝 缘层。因此，绝缘材料形成绝缘层的斜坡。通过半导体本体的借助两个 部件的电绝缘，特别是借助绝缘材料和绝缘层，能够有利地避免空腔和 陡峭的侧腹，因此有利地提高了模块的可靠性。

绝缘材料特别是模块的单独的部件。优选地，在与绝缘层的施加工 艺独立的方法步骤中施加绝缘材料。

特别是为了半导体本体在支承体上的电绝缘而进行两阶段工艺。在第一 步骤中，将绝缘材料施加，例如通过丝网印刷方法或模板印刷法。在第 二步骤中，将绝缘层施加，例如借助层压工艺、模板印刷法或丝网印刷 法、点胶(Dispens-)法或喷射法。

在方法的优选扩展方案中，在方法步骤a)中将至少一个第二半导 体本体在第一半导体本体旁设置在支承体上，其中在方法步骤b)中绝 缘材料在半导体本体之间的区域中形状配合地构成在半导体本体上，并 且在第一半导体本体和第二半导体本体的外侧的绝缘材料构成为喉部， 并且形状配合地构成在半导体本体上。

优选地，在方法步骤a)中在第一半导体本体和第二半导体本体之 间设置有多个其他的半导体本体，其中绝缘材料分别在相邻的半导体本 体之间的区域中在半导体本体上形状配合地构成。

借助半导体本体绝缘的两阶段工艺可以有利地将不同厚度、大小和 距离的半导体本体容易地在支承体上结合为模块，在此高开销的进程优 化不是必须的。特别是产生空腔或空穴的危险可以明显地减少。

将绝缘层施加到多个或一个半导体本体和绝缘材料上之后，将例如 以金属结构为形式的至少一个平面导电结构或多个平面导电结构施加。

光电子模块和制造其方法的其他的特征、优点、优选的扩展方案和 适宜性从下面结合附图1至3阐述的实施例得到。附图示出：

图1示出根据本发明的模块实施例的横截面示意图，

图2和3分别示出在制造方法中根据本发明的模块实施例的横截面 示意图，以及

图4A和4B分别示出根据现有技术的模块实施例的横截面示意图。

相同的或同作用的构件分别设有相同的附图标记。示出的构件以及 构件之间的大小关系不应视为合乎比例的。

在图1中示出光电子模块，其具有支承体1和多个设置于其上的半 导体本体2。半导体本体2分别具有用于产生电磁辐射的发射辐射的有 源层。例如，半导体本体2分别为半导体芯片，优选发光二极管(LED) 或激光二极管。

半导体本体2在朝向支承体1的侧上分别具有接触面。尤其，半导 体本体2通过接触面分别于例如设置在支承体1上的带状导线，或者与 在该情况下具有导电材料的支承体1导电接触。

在半导体本体2的与支承体1背离的侧上分别设置有辐射出射侧 2a。优选地，从有源层发射的大部分辐射通过辐射出射侧2a从相应的 半导体本体2输出耦合。

在半导体本体2的辐射出射侧2a上分别设置电端子区域21、22。 特别是电端子区域21、22分别设置在辐射出射侧2a的侧区域中，使得 电端子区域21、22对于从半导体本体2发射的辐射不必是透明的。

优选地，电端子区域21、22可以彼此在辐射出射侧2a上连接。例 如，电端子区域21、22框架状地、例如矩形地，设置在辐射出射侧2a 上，使得在半导体本体2工作的时候产生电流扩展。

侧向地、在各个半导体本体2旁分别设置有绝缘材料3。特别是将 绝缘材料3设置在相邻的半导体本体2之间，使得绝缘材料3在这些区 域中形状配合地在各个半导体本体2上邻接。与外部半导体本体2的外 侧邻接的绝缘材料3构成喉部，并且同样形状配合地设置在外部半导体 本体2上。特别是优选地，绝缘材料3在这些外部区域中构成为斜坡。

因此，各个半导体本体2之间的区域借助绝缘材料3平坦化。特别 是在半导体本体2之间的区域中，绝缘材料3的高度对应于相应的半导 体本体2的高度。同样地，优选地，在半导体本体2外侧上的构成为喉 部的绝缘材料3的最大高度对应于相应的半导体本体2的高度。

在半导体本体2上、特别是在辐射出射侧2a上、以及在绝缘材料3 上，设置有绝缘层4。特别是绝缘层4也在支承体1上设置在环绕相应 的半导体本体2或绝缘材料3的区域中。

在图1的实施例中，根据本发明的模块具有多个半导体本体2。可 替代地，所述模块可以只具有一个设置在支承体1上的半导体本体2。 在这种情况下，绝缘材料3在半导体本体2的所有侧面上构成为喉部， 其中绝缘层4在喉部状的绝缘材料3上引导。

优选地，绝缘层4对于从半导体本体2发射的辐射是透明的，或至 少是部分透明的，使得从半导体本体2发射的辐射可以在辐射出射侧2a 从模块耦合输出。

可替代地，绝缘材料3和/或绝缘层4可以包括转换材料。转换材料 吸收从相应的半导体本体2发射辐射的至少一部分，并且再发射次级辐 射，所述次级辐射优选具有与从半导体本体2发射辐射的波长范围不同 的波长范围。因此，可以有利地实现具有带有从各个半导体本体2发射 的辐射和次级辐射的混合辐射的模块。因此例如可以实现发射白色光的 模块。

绝缘材料3优选是UV稳定的。特别优选地，绝缘材料3和/或绝缘 层4包括聚合材料。

绝缘层4优选是多功能膜，并且满足至少一个其他的功能性，该其 他功能选自环境影响保护、UV保护、吸水保护、退化保护、温度影响 保护和/或裂缝形成保护。

在图1的实施例中，除了电端子区域21、22，绝缘层4完全地覆盖 半导体本体2的辐射出射侧2a。然而，可替代地，辐射出射侧2a可以 分别至少在辐射出射的区域中不具有绝缘层4。在暴露的辐射出射侧2a 情况下，可以例如将转换材料、例如转换薄片设置在辐射出射侧2a上。 可替代地，转换材料例如可以借助丝网印刷施加在半导体本体2的暴露 的辐射出射侧2a上。

用于半导体本体2的平面接触，在绝缘层4上设置有至少一个平面 的导电结构，其与半导体本体2的电端子区域21、22导电地连接(未 示出)。因此，半导体本体2优选借助相应的半导体本体2的朝向支承 体1的侧上的接触面以及借助电端子区域21、22通过平面导电结构被 导电接触。

在图1的实施例中，各个半导体本体2的电绝缘实现为双部件结构， 特别是借助绝缘材料2和绝缘层4来实现，由此有利地可以避免习常规 地出现的缺点。

此类的、常规出现的缺点特别是在图4A和4B中示出的。在图4A 和4B中，与在图1中示出例子的区别是在半导体本体之间和在半导体 本体2的侧区域上没有设置绝缘材料。

特别是，如图4a中示出，绝缘层4紧紧靠至于半导体本体2的侧 面。因此，在半导体本体2的侧区域中产生绝缘层4的陡峭的侧腹5a。 这些陡峭的侧腹5a特别是在随后的照相技术中引起曝光问题，所述照 相技术习常规地在制造过程中使用。因此，会不利地影响模块的可靠性。

在图4B中示出另一常规的模块。在这种情况下，在绝缘层4和支 承体1之间构成空腔5b。然而，这些会在绝缘层4和支承体1之间形 成的空腔可能不利地造成对于模块可靠性的影响。

通过根据本发明的电绝缘的双部件结构能够有利地避免会影响模 块可靠性的缺点。

在图2A至2C以及3A至3C中分别示出了在制造方法中的模块。 在图2A和3A中，半导体本体2分别借助与辐射出射侧2a背离的侧设 置在支承体1上。例如，半导体本体2借助粘贴层或焊剂装配在支承体 1上。

然后，如在图2B和3B中示出，绝缘材料3侧向地在半导体本体旁 设置在支承体1上。特别是绝缘材料3分别设置在相邻的半导体本体之 间，使得绝缘材料3形状配合地邻接在半导体本体2上。因此，绝缘材 料3填充半导体本体2之间的区域。

在外部半导体本体2的外侧上设置有绝缘材料，使得喉部形成。此 外，在这些区域中绝缘材料3也形状配合地构成在半导体本体2上。例 如，绝缘材料3在这些区域中构成斜坡。在半导体本体、支承体和绝缘 材料3之间的区域中有利地避免了空腔。

接着，如图2C和3C中示出，绝缘层4至少局部地设置在半导体本 体2和在绝缘材料3上。在图2C的实施例中，绝缘材料4仅仅局部地 设置在辐射出射侧2a上，使得辐射出射侧至少在辐射出射中不具有绝 缘层4。因此，半导体本体2的辐射出射侧2a例如可以分别具有事后施 加的转换材料，例如转换薄片。

与在图2C中示出实施例的区别是在图3C中示出实施例中的绝缘层 4完全地设置在半导体本体2的辐射出射侧2a上。特别是在图3C的实 施例中，绝缘层4一件式地构成，并且其完全地覆盖半导体本体2以及 绝缘材料3和支承体1。在这种情况下，绝缘层4对于从半导体本体2 发射的辐射构成为透明的或者具有在绝缘层4中设置的转换材料。

特别是在这类模块的制造方法中，如在图2和3中实现，将两阶段 工艺用于半导体本体2的绝缘。在第一步骤中，绝缘材料3施加在支承 体1上。然后将绝缘层4施加在半导体本体2和绝缘材料3上。

例如，绝缘材料3借助丝网印刷或模板印刷法施加在支承体1上。 绝缘层4优选是膜并且被层压。可替代地，绝缘层4可以借助丝网印刷 或模板印刷法或点胶法或喷射法施加在半导体本体2、绝缘材料3和支 承体1上。

借助两阶段工艺来绝缘半导体本体2可以有利地将不同厚度、大小 和距离的半导体本体结合起来，不必使用高开销的优化程序方法。特别 是可以明显地减少在绝缘层4和支承体1之间产生空腔或空穴的危险。

本发明不由于借助实施例的描述而限于其这些实施例，相反地，本 发明包括任意新的特征以及特征的任意组合，这尤其包括在权利要求中 的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未在权利要求或者实 施例中明确说明。