公开/公告号CN102437035A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-02
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201110235238.9
申请日2011-08-17
分类号H01L21/28;H01L21/336;
代理机构上海新天专利代理有限公司;
代理人王敏杰
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2023-12-18 05:04:15
机译: 能够同时形成镍硅化物和扩散防止层的形成镍硅化物的方法和制造半导体装置的方法
机译: 形成硅化镍膜的方法,制造半导体器件的方法以及蚀刻镍硅化物的方法
机译: 在硅上电沉积镍以形成可控镍硅化物的方法