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一种实现两种不同绝缘层厚度电容的集成方法

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摘要

本发明提供了一种实现两种不同绝缘层厚度电容的集成方法，利用O

1. 一种实现两种不同绝缘层厚度电容的集成方法 [P] . 中国专利： CN102437016B . 2013.10.09
2. 一种实现两种不同绝缘层厚度电容的集成方法 [P] . 中国专利： CN102437016A . 2012-05-02
3. A method of forming a double cobalt silicide layer with two different thicknesses during the production of an integrated circuit and corresponding ic - structure [P] . 德国专利： DE19952177C2 . 2002-11-28

机译：一种在集成电路和相应的ic结构的制造过程中形成具有两种不同厚度的双硅化钴层的方法
4. Integrated capacitor e.g. MIM capacitor, manufacturing method for integrated electronic circuit, involves placing conducting and insulating layers perpendicular to substrate in wafer to form capacitor`s lower and upper plates and dielectric [P] . 法国专利： FR2879344A1 . 2006-06-16

机译：集成电容器MIM电容器，一种集成电路的制造方法，涉及在晶片中垂直于衬底放置导电和绝缘层，以形成电容器的上下板和电介质
5. Semiconductor device utilizing multiple capacitors each having an insulating layer having a different thickness [P] . 美国专利： US7211876B2 . 2007-05-01

机译：利用多个电容器的半导体器件，每个电容器具有厚度不同的绝缘层