一种修饰SiCOH薄膜微结构的方法

摘要

本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种修饰SiCOH薄膜微结构的方法。该发明首先通过溶胶-凝胶方法和旋涂技术制备SiCOH薄膜，然后进行热退火处理，最后将该薄膜置于宽普紫外灯下照射，实现对SiCOH薄膜微结构的修饰，使得薄膜中交联成键结构增加。本发明方法可显著改善SiCOH薄膜的力学性能。