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一种带DNW的PNP双极结型晶体管的建模方法

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本发明提供了一种带DNW的PNP-BJT的建模方法，所述带DNW的PNP-BJT包括一横向PNP-BJT(210)和一纵向PNP-BJT(220)，所述横向PNP-BJT(210)、所述纵向PNP-BJT(220)共用发射极E和集电极B，所述建模方法包括：步骤一、分别建立所述横向PNP-BJT(210)的模型和所述纵向PNP-BJT(220)的模型；步骤二、建立宏模型。所述建模方法还可以按如下步骤进行：步骤A、将所述横向PNP-BJT(210)和所述纵向PNP-BJT(220)的C极对应相连后测量数据；步骤B、建立初始模型；步骤C、提取模型参数并建立模型。

著录项

公开/公告号CN102385643A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-03-21

原文格式PDF
申请/专利权人上海宏力半导体制造有限公司;
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申请/专利号CN201010271226.7
发明设计人朱正鹏;
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申请日2010-09-01
分类号G06F17/50;
代理机构上海智信专利代理有限公司;
代理人王洁
地址 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2023-12-18 04:38:40

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-12-18

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20120321 申请日:20100901

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-06-06

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20100901

实质审查的生效
2012-03-21

公开

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