首页> 中国专利> 薄电子探测器中的反向散射降低

薄电子探测器中的反向散射降低

摘要

本发明涉及薄电子探测器中的反向散射降低。在直接电子探测器中,防止电子从传感器下面到探测器部中的反向散射。在某些实施例中,在传感器下面保持空空间。在其它实施例中,在传感器下面的结构包括:或者延伸到传感器或者从传感器延伸以捕获电子的几何形状,诸如多个高纵横比通道;或者用于偏转通过传感器的电子的斜向表面的结构。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-10-28

    授权

    授权

  • 2013-08-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/22 申请日:20110804

    实质审查的生效

  • 2012-03-14

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号