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巨磁阻自旋阀磁敏传感器及其制造方法

摘要

本发明涉及巨磁阻自旋阀磁敏传感器及其制造方法。现有技术工艺上和商业化生产方面都极为困难。本发明包括由四个磁敏电阻组成的惠斯通电桥,其特征在于组成惠斯通电桥的四个磁敏电阻由两种不同的自旋阀材料制成,其中两个磁敏电阻由普通的自旋阀材料制成,而另外两个磁敏电阻由具有合成反铁磁被钉扎层的自旋阀材料制成,这两对磁敏电阻组成的惠斯通电桥的差分输出信号在外场下形成推-拉输出。该GMR自旋阀传感器通过两次自旋阀材料的沉积方法而实现。其优点在于使输出信号大最大化,而且工艺简单、易于实现、尺寸小、灵敏度高、线性度好,是实现工业化生产的理想方案。

著录项

  • 公开/公告号CN102288927A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 钱正洪;

    申请/专利号CN201110177681.5

  • 发明设计人 钱正洪;

    申请日2011-06-28

  • 分类号

  • 代理机构浙江翔隆专利事务所;

  • 代理人戴晓翔

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2023-12-18 04:04:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-02-25

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01R33/09 申请公布日:20111221 申请日:20110628

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2012-02-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R33/09 申请日:20110628

    实质审查的生效

  • 2011-12-21

    公开

    公开

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