一种提高多层单元NAND-Flash存储可靠性的备用区分配方法

摘要

一种提高多层单元NAND-Flash存储可靠性的备用区分配方法，通过利用高有效位MSB页与低有效位LSB页的不同错误率，重新分配多层单元NAND-Flash备用区，高有效位MSB页的错误率较高，需要更多的备用区用于纠错，因此，高有效位MSB页的全部备用区用于存储纠错码，低有效位LSB页应用较少的备用区存储纠错码，高有效位MSB页和低有效位LSB页的管理信息都存储于低有效位LSB页的备用区，提高了多层单元NAND-Flash存储数据可靠性。