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将单晶硅薄片用强脉冲离子束改性为LED衬底的碳化硅材料的方法

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摘要

一种将单晶硅薄片用强脉冲离子束改性为LED衬底的碳化硅材料的方法，首先将单晶硅加工成薄片状置于强脉冲离子束靶座前；采用石墨作为注入用离子源发射体，抽真空后通入适当氩气，将真空系统档板遮蔽单晶硅薄片，启动强脉冲离子束，再关闭氩气，移开挡板后开启真空系统机械扫描系统，用强脉冲离子束对单晶硅薄片正反二面注入C

著录项

公开/公告号CN102285655A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-12-21

原文格式PDF
申请/专利权人高志洪;
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申请/专利号CN201110176320.9
发明设计人高志洪;
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申请日2011-06-28
分类号C01B31/36;
代理机构深圳市千纳专利代理有限公司;
代理人杨建新
地址 514500 广东省梅州市兴宁市合水镇溪唇村万全
入库时间 2023-12-18 03:55:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-10-30

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B31/36 申请公布日:20111221 申请日:20110628

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-02-08

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B31/36 申请日:20110628

实质审查的生效
2011-12-21

公开

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1. 将单晶硅薄片用强脉冲离子束改性为LED衬底的碳化硅材料的方法 [P] . 中国专利： CN102285655A . 2011-12-21
2. 一种利用强脉冲离子束制备具有连续过渡层的镀层的方法 [P] . 中国专利： CN101818325B . 2011.10.26
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