绝缘体上的硅衬底制作工艺及绝缘体上的硅器件制作工艺

摘要

本发明提供了SOI衬底制造工艺及SOI器件制造工艺，以进一步减弱SOI器件自加热效应，并避免现有减弱自加热效应工艺中存在的大幅度降低SOI器件性能等问题，而且还能够提高漏端电流大小，且降低器件关态泄漏电流，显著提高开态电流与关态电流的比值。本发明提供的一个SOI衬底工艺包括：提供硅衬底；在硅衬底中形成掩埋绝缘层，在所述掩埋绝缘层中，采用该SOI衬底的器件沟道区下方的掩埋绝缘层厚度低于其它掩埋绝缘层的厚度。