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具有在探测元件上的矩阵式模式的辐射探测器

摘要

本发明涉及一种具有至少一个半导体晶片(2)用于测量入射的电离辐射的辐射剂量的辐射探测器,该半导体晶片具有大量的探测元件(1),这些探测元件以矩阵式模式分布的设置在具有N>2列和M>2行的K>4个规律分布的矩阵位置。根据本发明,一方面,探测元件设置在K/2至K-1个矩阵位置,并且分别构成敏感探测像素(5),另一方面,非辐射敏感的电子元件(11,12,13,16,17)和/或直通连接(15)设置在K/2至一个矩阵位置,并且分别构成中性探测像素(6),其中每个探测像素(5,6)分别覆盖一个同样大的像素平面,并且至少非边缘的探测像素(5,6)如下地分布:每个中性像素(6)具有至少两个邻接的相对的敏感探测像素(5)。

著录项

  • 公开/公告号CN102243316A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西门子公司;

    申请/专利号CN201110091969.0

  • 发明设计人 雷纳.F.舒尔兹;

    申请日2011-04-13

  • 分类号G01T1/02;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人谢强

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-12-18 03:38:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-01

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01T1/02 申请公布日:20111116 申请日:20110413

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-03-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01T1/02 申请日:20110413

    实质审查的生效

  • 2011-11-16

    公开

    公开

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