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磁存储介质制造方法、磁存储介质以及信息存储装置

摘要

本发明的目的是提供能够制造位元规则型等的类型的磁存储介质的简单实用的方法、可以由这种简单实用的方法制造的上述类型的磁存储介质和信息存储装置,在磁盘制造方法中,执行以下步骤:成膜工序(A),在玻璃基板(61)上形成磁性膜(62),使得居里温度为600K以下;以及离子注入工序(C),将离子局部地注入到所述磁性膜(62)上的除了预定的保护区域以外的区域。

著录项

  • 公开/公告号CN102224544A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社爱发科;

    申请/专利号CN200980147350.8

  • 申请日2009-12-22

  • 分类号G11B5/84;G11B5/65;G11B5/851;

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人李辉

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2023-12-18 03:34:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11B5/84 申请公布日:20111019 申请日:20091222

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-11-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B5/84 申请日:20091222

    实质审查的生效

  • 2011-10-19

    公开

    公开

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