首页> 中国专利> 纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法

纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法

摘要

一种纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法,包括以下几个步骤:步骤1:取一导电基片;步骤2:采用丝网印刷技术,在导电基片的表面印刷TiO

著录项

  • 公开/公告号CN102222572A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201110067723.X

  • 发明设计人 王美丽;李京波;王岩;

    申请日2011-03-21

  • 分类号H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-18 03:34:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-10-30

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20111019 申请日:20110321

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2011-11-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G9/04 申请日:20110321

    实质审查的生效

  • 2011-10-19

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号