以测量电压效应为基础的芯片失效方法

摘要

本发明涉及一种以测量电压效应为基础的芯片失效方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）将芯片通过开盖机，并将封装的树脂去掉，将裸晶外露；2）将芯片放入到工作电路中，让芯片处于工作状态；3）开启扫描电子显微镜，将加速电场电压调整至60kV；4）将正常的芯片放入样品室进行扫描，得到正常芯片的电压衬度像；5）将失效的芯片放入样品室进行扫描，得到失效芯片的电压衬度像；6）利用扫描电子显微镜的图像显示和记录系统对正常芯片的电压衬度像和失效芯片的电压衬度像进行比较，求出并显示差像，即可根据差像确定芯片的失效位置，该方法简单易行，可准确定位失效芯片的故障点。