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溅射装置、薄膜形成方法和场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种可减少衬底层损伤的溅射装置、薄膜形成方法和场效应晶体管的制造方法。在本发明所述的溅射装置中,沿着排列在真空室内部的多个靶部Tc1~Tc5的排列方向依次使其产生溅射,以使在基板10的表面形成薄膜。因此本发明可以提高溅射粒子斜向射入基板表面的比例,这可有助于减少衬底层的损伤。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-11-06

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/34 申请公布日:20110914 申请日:20091009

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-11-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20091009

    实质审查的生效

  • 2011-09-14

    公开

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