公开/公告号CN102169923A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 常州天合光能有限公司;
申请/专利号CN201110052803.8
发明设计人 陈艳;
申请日2011-03-05
分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/04(20060101);
代理机构32211 常州市维益专利事务所;
代理人王凌霄
地址 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
入库时间 2023-12-18 03:13:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-27
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L31/18 变更前: 变更后: 申请日:20110305
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-03-27
授权
授权
2011-10-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20110305
实质审查的生效
2011-08-31
公开
公开
技术领域
本发明涉及一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构。
背景技术
相对于P型单晶,N型单晶具有光照效率损失小、更耐金属杂质污染、少数载流子扩散长度长等特点。目前的高效电池都是在N型单晶的基底上完成的。
为了实现N型单晶体材料的优势,有效的钝化方法是实现高效电池的关键。众所周知,普通N型层的钝化层(SiNx,SiO2)对P型层钝化效果并不明显。近些年,一些机构研究了其他针对P型层的钝化层,例如a-Si:H,Al2O3等。其中,用Al2O3钝化P型层的N型单晶电池效率已达23%。但是上述钝化方法工艺复杂,成本较高,并不适合大规模工业化生产。
在这种形势下,研究一种适合大规模工业化生产的钝化P型层的方法显得尤为重要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种适合大规模工业化生产的钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法以及电池结构。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法,在N型直拉单晶硅基体背面的P型发射结的非金属接触区的发射极通过磷扩散层形成浮动结,浮动结与背面金属栅线之间通过介质膜隔离,浮动结表面做钝化膜。
形成浮动结的方法为:
a)在P型发射结表面生成介质膜;
b)选择性地刻蚀掉非金属栅线区的P型发射结表面的介质膜,形成扩散窗口;
c)将介质膜作为掩膜,磷源扩散形成浮动结,扩散方阻为150-200ohm/sq。
具体工艺过程如下:
a)硅片清洗,去除损伤层,表面为酸制绒或碱制绒;
b)硼源扩散形成P型发射结,方阻为20-100ohm/sq;
c)酸腐蚀液或腐蚀性浆料或激光刻蚀去除正面的P型发射结,形成单面P型发射结;
d)HF酸去BSG硼硅玻璃;
e)热氧化法或CVD法生成SiO2介质膜,SiO2介质膜的厚度为100-300nm;
f)酸腐蚀液或腐蚀性浆料或激光刻蚀非发射极面的SiO2介质膜;
g)清洗;
h)磷源扩散形成N型前表面场,方阻为50-200ohm/sq;
i)激光或腐蚀性浆料选择性刻蚀非金属栅线区的发射极面的SiO2介质膜;
j)保留的SiO2介质膜作为掩膜,磷源扩散形成浅N+的浮动结,方阻为150-200ohm/sq;
k)HF酸去PSG磷硅玻璃及部分SiO2,最终SiO2介质膜的厚度为0-100nm;
l)双面PECVD沉积10-150nmSiNx,折射率为1.9-2.5;
m)正面印刷Ag浆并烘干;
n)背面印刷Ag浆;
o)烧结。
一种N型硅太阳能电池结构,以N型直拉单晶硅为基体,基体正面为N型前表面场,背面为硼掺杂层形成的P型发射结,非金属栅线区的发射极通过磷扩散层形成浮动结,浮动结与背面金属栅线之间通过介质膜隔离,浮动结表面为钝化膜,电池片正背面都有金属栅线。
进一步地,N型前表面场的正面为金字塔绒面结构,表面具有钝化N型前表面场的SiNx层。
具体地,浮动结的方阻为150-200ohm/sq,表面的钝化膜为用CVD方式沉积的SiNx薄膜或SiOx薄膜或SiCx薄膜,或热氧化生长的SiO2薄膜,或强氧化剂溶液生成的SiO2薄膜,或叠层钝化膜。
本发明的有益效果是:用浮动结钝化硼掺杂层,相对于用Al2O3钝化,无需产线改造,适合大规模工业化生产,经测试,效率达19%。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明;
图1是本发明的电池结构示意图;
图中,1.基体,2.SiNx层,3.N型前表面场,4.P型发射结,5.浮动结,6.金属栅线,7.介质膜,8.钝化膜。
具体实施方式
一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法,在N型直拉单晶硅基体背面的P型发射结的非金属栅线区的发射极通过磷扩散层形成浮动结,浮动结与背面金属栅线之间通过介质膜隔离,浮动结表面做钝化膜。
具体实施步骤如下:
a)硅片清洗,去除损伤层,表面碱制绒,反射率为7%;
b)硼源扩散形成P型发射结,方阻为40ohm/sq;
c)酸腐蚀液腐蚀正面的P型发射结,形成单面P型发射结;
d)5%HF酸去BSG硼硅玻璃;
e)热氧化法生成SiO2介质膜,SiO2介质膜的厚度为300nm;
f)腐蚀性浆料刻蚀非发射极面的SiO2介质膜;
g)清洗;
h)磷源扩散形成N型前表面场,方阻为60ohm/sq;
i)腐蚀性浆料选择性刻蚀非金属栅线区的发射极面的SiO2介质膜;
j)保留的SiO2介质膜作为掩膜,磷源扩散形成浅N+的浮动结,方阻为150ohm/sq;
k)5%HF酸去PSG磷硅玻璃及部分SiO2,最终SiO2介质膜的厚度为10nm;
l)双面PECVD沉积88nmSiNx,折射率为2.1;
m)正面印刷Ag浆并烘干;
n)背面印刷Ag浆;
o)烧结。
一种N型硅太阳能电池结构,以N型直拉单晶硅为基体1,正面为金字塔绒面结构,正面为SiNx层2钝化的N型前表面场3,背面为硼掺杂层形成的P型发射结4,非金属栅线区的发射极通过磷扩散层形成浮动结5,浮动结5与背面金属栅线6之间通过介质膜7隔离,浮动结5表面为钝化膜8,电池片正背面都印有Ag金属栅线6。
浮动结5的方阻为150-200ohm/sq,表面的钝化膜8为用CVD方式沉积的SiNx薄膜或SiOx薄膜或SiCx薄膜,或热氧化生长的SiO2薄膜,或强氧化剂溶液生成的SiO2薄膜,或上述薄膜的叠层钝化膜。
机译: 一种制造太阳能电池的方法,该方法包括在形成金属层,N型掺杂区和P型掺杂区,在金属层上放置金属板的太阳能电池结构的表面上形成CTRIC Diel分离器
机译: 具有掺杂镓的P型硅基质的硅太阳能电池结构的制造方法
机译: 光电半导体芯片具有布置在n型隧道层和p型隧道层之间的未掺杂中间层的未掺杂区,其中n型和p型隧道层通过未掺杂区彼此分开。