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锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法

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一种锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层；步骤4：在锑层上依次生长多个周期的量子点结构、本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p+型Al

著录项

公开/公告号CN102176490A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-09-07

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201110044608.0
发明设计人杨晓光;杨涛;
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申请日2011-02-16
分类号H01L31/18;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-18 03:08:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-05-08

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20110907 申请日:20110216

发明专利申请公布后的驳回
2011-11-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20110216

实质审查的生效
2011-09-07

公开

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