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一种光控碳化硅光电导开关

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摘要

本发明涉及一种光控碳化硅(SiC)光电导开关，其包括如下部件：光电导晶片，所述光电导晶片为碳化硅晶片，具有以下抛光良好的晶面：至少一个(1100)m面；至少两个(1120)a面；其中(1100)m面或(1120)a面是与激发光源光学连接的朝光面，以及与所述(1120)a面或(1120)m面具有良好电学性质的电极，且当所述(1100)m面作为朝光面时，所述电极与所述(1120)a面电学连接；当所述(1120)a面作为朝光面时，所述电极与所述(1100)m面电学连接。

著录项

  • 公开/公告号CN102157597A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN201010108982.8

  • 发明设计人 黄维;常少辉;陈之战;施尔畏;

    申请日2010-02-11

  • 分类号H01L31/09(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人彭茜茜;白益华

  • 地址 200050 上海市定西路1295号

  • 入库时间 2023-12-18 03:00:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-02

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/09 申请公布日:20110817 申请日:20100211

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2011-11-23

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L31/09 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/09 申请日:20100211

    实质审查的生效

  • 2011-08-17

    公开

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