首页> 中国专利> 具有互补钟控开关本体NMOS-PMOS伪元件的开关本体NMOS-PMOS开关

具有互补钟控开关本体NMOS-PMOS伪元件的开关本体NMOS-PMOS开关

摘要

采样保持馈电开关,具有并联的PMOS分支和并联的NMOS分支,每个从输入节点延伸至与保持电容器连接的输出节点。每个PMOS分支具有与相匹配的PMOS伪FET连接的PMOS开关FET,以及每个NMOS分支具有与相匹配的NMOS伪FET连接的NMOS开关FET。采样时钟将PMOS开关FET接通和断开,同步反采样时钟产生PMOS伪FET的互补的on-off切换。同时,同步反采样时钟将NMOS开关FET接通和断开,以及采样时钟产生NMOS伪FET的互补的on-off切换。偏置序列电路以互补的方式偏置PMOS开关FET的本体和PMOS伪FET的本体,也以互补的方式偏置NMOS开关FET的本体和NMOS伪FET的本体。PMOS伪FET的on-off切换注入抵消了通过PMOS信号开关FET注入的电荷的电荷,以及注入抵消了通过PMOS信号开关FET注入的伪信号脉冲的伪信号脉冲。NMOS伪FET的on-off切换注入抵消了通过NMOS信号开关FET注入的电荷的电荷,以及注入抵消了通过NMOS信号开关FET注入的伪信号脉冲的伪信号脉冲。

著录项

  • 公开/公告号CN102111138A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NXP股份有限公司;

    申请/专利号CN201010578707.2

  • 发明设计人 吴琼;凯文·马胡提;

    申请日2010-12-03

  • 分类号H03K17/687;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人倪斌

  • 地址 荷兰艾恩德霍芬

  • 入库时间 2023-12-18 02:47:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-07-10

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H03K17/687 申请公布日:20110629 申请日:20101203

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K17/687 申请日:20101203

    实质审查的生效

  • 2011-06-29

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号