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MOCVD制备ZnO透明导电薄膜的方法

摘要

一种MOCVD制备ZnO透明导电薄膜的方法,包括准备、清洗、光学检测、CVD镀膜、产品性能检测、成品包装6个步骤,其中CVD镀膜的方法为在CVD镀膜室中,以二甲基锌和氧气为源通过喷头喷到加热的玻璃片上,二甲基锌氧化生成ZnO。在镀膜过程中,还可以以三甲基镓或氧化铝作为掺杂源,获得镓掺杂ZnO(GZO)或铝掺杂ZnO(AZO)。对光学检测不合格的玻璃,可以重新清洗;对产品性能检测不合格的产品,可以送入装有稀盐酸的腐蚀池中,腐蚀掉玻璃表面的ZnO从而将玻璃重新回收利用。本发明充分考虑了ZnO透明导电薄膜工业生产中的各个环节,具有产品性能优异、易于实现产业化等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN102102193A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海俊天科技有限公司;

    申请/专利号CN201110051560.6

  • 发明设计人 孙小卫;赵俊亮;

    申请日2011-03-03

  • 分类号C23C16/40;C23C16/52;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 201821 上海市嘉定工业区普惠路333号3幢1069室

  • 入库时间 2023-12-18 02:43:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-01-21

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/40 申请公布日:20110622 申请日:20110303

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-08-27

    文件的公告送达 IPC(主分类):C23C16/40 收件人:上海俊天科技有限公司 文件名称:视为撤回通知书 申请日:20110303

    文件的公告送达

  • 2014-02-05

    文件的公告送达 IPC(主分类):C23C16/40 收件人:上海俊天科技有限公司 文件名称:实审请求期限届满前通知书 申请日:20110303

    文件的公告送达

  • 2011-09-07

    文件的公告送达 IPC(主分类):C23C16/40 收件人:上海俊天科技有限公司何兵 文件名称:发明专利申请公布通知书 申请日:20110303

    文件的公告送达

  • 2011-06-22

    公开

    公开

  • 2011-05-25

    文件的公告送达 收件人:何兵 文件名称:发明专利申请初步审查合格通知书 申请日:20110303

    文件的公告送达

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