公开/公告号CN102109092A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 上海正帆科技有限公司;上海正帆半导体设备有限公司;
申请/专利号CN201010596168.5
申请日2010-12-20
分类号F17D1/04;
代理机构上海申汇专利代理有限公司;
代理人翁若莹
地址 201108 上海市闵行区春中路56号106-108室
入库时间 2023-12-18 02:43:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-16
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):F17D1/04 申请公布日:20110629 申请日:20101220
发明专利申请公布后的驳回
2011-08-10
实质审查的生效 IPC(主分类):F17D1/04 申请日:20101220
实质审查的生效
2011-06-29
公开
公开
机译: 高纯镧,高纯镧,以高纯镧为靶的溅射靶的制造方法以及以高纯镧为主要成分的金属栅膜的制造方法
机译: 高纯镧,高纯镧,以高纯镧为靶的溅射靶的制造方法以及以高纯镧为主要成分的金属栅膜的制造方法
机译: 高纯镧,高纯镧的制造方法,以高纯镧为靶的溅射靶以及以高纯镧为主要成分的金属栅膜的制造方法