用于深紫外光刻的纳米级厚度的掩膜及其制备方法

摘要

本发明涉及的用于深紫外光刻的纳米级厚度的掩膜，其为由链状烷烃类硅烷化有机分子与羟基化的单晶硅基片表面发生缩合反应，并沉积于其上的硅烷基化分子构成的岛状结构膜；其分子式为：CnH2n+1SiCl3或CnH2n+1Si(OCH3)3或CnH2n+1Si(OC2H5)3；其制备：先对单晶硅基片进行羟基化处理；再将单晶硅基片放入惰性气体保护的烷基三甲氧基硅烷甲苯/苯溶液、烷基三乙氧基硅烷甲苯/苯溶液或烷基三氯硅烷甲苯/苯溶液中浸泡，取出并用甲苯/苯溶剂反复冲洗，最后用氮或氩气吹干而得到；该膜在172纳米深紫外光照射下，5分钟之内全部分解，可作为快速、大规模制作高密度纳米级集成电路的深紫外光刻掩膜。