P型半导体异质结构的光电化学刻蚀

摘要

一种用于P型半导体层的简单且有效的光电化学刻蚀(PEC)方法，该方法通过提供驱动力使空穴向要刻蚀的P型保护层的表面移动，其中该P型保护层在异质结构上，并且该异质结构提供源自该异质结构中内部产生的内部偏压的驱动力；在该异质结构的分离区域中而不是要刻蚀的表面生成电子-空穴对；以及使用刻蚀剂溶液来刻蚀该P型层的表面。