法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-06-05
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/34 申请公布日:20110525 申请日:20110211
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-01-04
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20110211
实质审查的生效
2011-05-25
公开
公开
机译: 公开了一种高熔点金属硅化物靶,其制备方法,高熔点金属硅化物薄膜以及半导体器件。高熔点金属硅化物靶是高熔点金属硅化物薄膜和高熔点金属硅化物薄膜。
机译: 氮气靶通过锌靶的反应溅射制备的薄膜半导体材料
机译: 氮气靶通过锌靶的反应溅射制备的薄膜半导体材料