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电子束辐照提高LED发光强度的方法

摘要

本发明涉及一种利用电子束辐照提高LED发光强度的方法,该方法在标准大气压下,普通空气氛围下,采用GJ-15型地那米电子加速器产生低能电子束对LED芯片进行辐照,选择适当的辐照剂量,使LED芯片中的缺陷中心浓度增加,载流子寿命、浓度和迁移特性变化,从而改变LED的光学和电学性质,提高LED的发光强度。本发明过程简单、快速,与LED复杂的外延片生长过程和芯片制作过程无关,因此适于对LED芯片的光学性能进行改进。

著录项

  • 公开/公告号CN102097547A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津工业大学;

    申请/专利号CN201010560520.X

  • 发明设计人 牛萍娟;于莉媛;梁亮;

    申请日2010-11-25

  • 分类号H01L33/00(20100101);H01L33/02(20100101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300160 天津市河东区成林道63号

  • 入库时间 2023-12-18 02:34:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-12-19

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/00 申请公布日:20110615 申请日:20101125

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20101125

    实质审查的生效

  • 2011-06-15

    公开

    公开

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