公开/公告号CN102084478A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-06-01
原文格式PDF
申请/专利权人 S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司;
申请/专利号CN200980126223.X
申请日2009-07-03
分类号H01L21/762;
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 法国贝尔尼
入库时间 2023-12-18 02:26:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-02-19
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/762 申请公布日:20110601 申请日:20090703
发明专利申请公布后的视为撤回
2011-07-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20090703
实质审查的生效
2011-06-01
公开
公开
机译: 制造结构的方法对应于离子注入步骤以便稳定键合界面。
机译: 制造结构的方法对应于离子注入步骤以便稳定键合界面。
机译: 构成结构的方法,该结构包括有序地注入离子以稳定粘合剂键合界面