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制造包括注入离子步骤以稳定粘接键合界面的结构的方法

摘要

本发明涉及一种制造结构的方法,所述结构特别应用于电子学、光学、或光电子学的领域,该结构包括支撑衬底(3)上的半导体材料的薄层(1),其中:a)所述薄层(1)通过分子附着力粘接键合到所述支撑衬底(3)上;b)通过该方式得到的所述结构被热处理,以稳定粘接键合界面(2),其特征在于在步骤b)之前,在所述界面(2)上进行离子注入,从而薄层(1)上的原子被转移到支撑衬底(3)上,和/或支撑衬底(3)上的原子被转移到薄层(1)上。

著录项

  • 公开/公告号CN102084478A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司;

    申请/专利号CN200980126223.X

  • 发明设计人 K·布德尔;D·朗德吕;K·朗德里;

    申请日2009-07-03

  • 分类号H01L21/762;

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 法国贝尔尼

  • 入库时间 2023-12-18 02:26:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-02-19

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/762 申请公布日:20110601 申请日:20090703

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20090703

    实质审查的生效

  • 2011-06-01

    公开

    公开

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