用于存储器的检测和纠正错误,存储器的位状态具有不同的错误抗力

摘要

为了实现一种抵抗离子或光子侵害的存储器，选择一种存储器结构，其存储点相对这些侵害具有不对称表现。在这种情况下，对于一个相同和周期性的存储结构只需一个参考单元以能够纠正这次侵害影响到的所有存储单元。这样通过简单的冗余，就能得到1/2的纠正错误的效率，而传统的方法为达到同样的结果需要三倍存储以得到不太有益的1/3效率。